เส้นลวดนาโน Ga 2 O 3 ถูกประดิษฐ์ขึ้นด้วยกระบวนการไอ-ของแข็งในบรรยากาศโดยรอบโดยใช้ Ga และ Ga 2 O 3เป็นวัสดุเริ่มต้นโดยไม่ต้องเติมตัวเร่งปฏิกิริยา ฟิล์มบาง Ga 2 O 3 ถูกเตรียมโดยการระเหยด้วยความร้อนและการสะสมของ Ga 2 O 3บนระนาบแยก NaCl (0 0 1) ที่อุณหภูมิพื้นผิว ความดันออกซิเจน และอัตราการสะสมที่แตกต่างกัน แกลเลียม การเติบโตของโครงสร้างนาโน β-Ga 2 O 3 เช่น เส้นลวดนาโน เข็มขัดนาโนแผ่นนาโนและคอลัมน์นาโน ถูกสังเกตเมื่อใช้ GaN เป็นวัสดุตั้งต้น มีการใช้วิธีโซล-เจลในการสังเคราะห์ Ga 2 O 3โดยใช้แกลเลียมไอโซโพรพอกไซด์ [Ga(OC 3 H 7 ) 3 ] เป็นวัสดุตั้งต้น ทำให้ได้อนุภาค β-Ga 2 O 3 (ขนาด ∼10–20 นาโนเมตร) . อนุภาคนาโนแกลเลียมออกไซด์ที่ฝังอยู่ในซิลิกาเมทริกซ์ที่มีอัตราส่วนโมลาร์ต่างกันก็ถูกสังเคราะห์ด้วยวิธีโซล-เจลเช่นกัน อนุภาคนาโนขนาด Ga 2 O 3ในช่วงขนาดระหว่าง 2 และ 7 นาโนเมตรถูกสังเคราะห์ใน H 2 /O 2 /Ar premixed-flame ในเครื่องปฏิกรณ์ความดันต่ำที่เจือด้วยความเข้มข้นของไตรเมทิลแกลเลียมที่เจือจาง เบต้า-กา2 O 3แถบนาโนได้มาจากการระเหยด้วยความร้อนของ β-Ga 2 O 3 ในส่วนผสมของก๊าซที่ไหลผ่านของไนโตรเจนและ CO นอกจากนี้ Ga 2 O 3 –Al 2 O 3 nanorodsยังถูกสังเคราะห์โดยใช้โคพอลิเมอร์ไตรบล็อก nonionic P123 เป็นสารควบคุมโครงสร้าง β-Ga 2 O 3 nanoribbonsได้มาจาก GaAs โดยการฝังไอออน ในพลาสมา (PIII)
ผงนาโนแกลเลียมออกไซด์ที่มีความบริสุทธิ์สูงทางสัณฐานวิทยาที่แตกต่างกันถูกสังเคราะห์ขึ้นโดยใช้เทคนิคการตกตะกอนอย่างง่าย พบว่าค่า pH มีบทบาทสำคัญในการได้รับผงแกลเลียมออกไซด์ทางสัณฐานวิทยาที่แตกต่างกัน ผงแกลเลียมออกไซด์ถูกสังเคราะห์ด้วยค่า pH สามค่า ได้แก่ 6, 7, 8 ที่ pH 6.0 ผงแกลเลียมออกไซด์พบว่ามีโครงสร้างคล้ายแกนหมุนรูปสี่เหลี่ยม ที่ค่า pH 7.0 ผงแกลเลียมออกไซด์มีลักษณะทางสัณฐานวิทยาที่ผิดปกติ ผงแกลเลียมออกไซด์สังเคราะห์ที่ค่า pH 8.0 และเผาที่อุณหภูมิ 600 °C และ 850 °C ถูกสังเกตว่าเป็นการรวมตัวกันของอนุภาคนาโน เส้นลวดนาโนของแกลเลียมออกไซด์ถูกสังเคราะห์โดยการปล่อยอาร์คไฟฟ้าของผง GaN ผสมกับ Ni และ Co จำนวนเล็กน้อย β-Ga 2 O 3เส้นลวดนาโนที่เติบโตโดยความช่วยเหลือของโลหะทรานซิชันแสดงให้เห็นถึงพื้นผิวขอบที่เรียบในขณะที่มีจุดบกพร่องคู่อยู่ตรงกลาง โลหะทรานซิชันช่วยเพิ่มการเติบโตของเส้นลวดนาโน สายนาโน ของโมโนคลีนิกแกลเลียมออกไซด์ (β-Ga 2 O 3 ) ถูกสังเคราะห์โดยการบำบัดความร้อนด้วยวัสดุผสมของ GaAs และละลาย Au ล่วงหน้าที่อุณหภูมิ 1240 °C ในบรรยากาศออกซิเจนแห้ง โลหะ Au ที่เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาสร้างคลัสเตอร์นาโน ของเหลว ที่ทำหน้าที่เป็นจุดเกิดปฏิกิริยาที่จำกัดและควบคุมการเติบโตของเส้นลวดนาโน β-Ga 2 O 3ในระหว่างกระบวนการเติบโตของไอ-ของเหลว-ของแข็ง
| 
